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P307:SiC power semiconductor technology application BBS and new product release conference

SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会

SiC power semiconductor technology application BBS and new product release conference 


时间:20191126日 下午14:00 -17:30

地点:深圳会展中心•五层·玫瑰3厅·(PPT显示比例:16:9)


SiC功率半导体电力电子器件近年来不断获得技术上的突破,这类器件具有高的转换效率,更高的开关频率和更高的工作温度等优势,产品可广泛应用于新能源(风电、光伏、电动汽车)、消费电子、智能电网、轨道交通等领域,SiC功率半导体可实现电力电子装置的小型化和模块化,大幅度提高能源互联网的可靠性、可控制。本次由苏州锴威特半导体股份有限公司、西安电子科技大学、西安卫光科技有限公司联合发布在SiC功率半导体的产、学、研成果,同时邀请国内知名专家学者、行业龙头企业、产业链合作伙伴共同参与,充分展示三方在SiC功率半导体电力电子器件的合作成果及优秀的产业合作资源。

SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会

主持人

    苏州锴威特半导体股份有限公司总经理

致词嘉宾

  中国科学院院士 西安电子科技大学教授

  第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长

徐建华 汉磊科技股份有限公司董事长

黄京才 西安卫光科技有限公司董事长

张家港市领导

14:30-14:45

茶歇

14:45-15:15

SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势(暂定)

张玉明 西安电子科技大学微电子学院院长

15:15-15:45

SiC MOSFET的产品特征及在电力电子的应用机遇

谭在超 苏州锴威特半导体股份有限公司研发副总

15:45-16:15

SiC 功率MOSFET封装工艺

  巍 博士、西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师

16:15-17:00

功率半导体的市场分析

李国强 芯谋研究总监

17:00-17:30

《自主创芯 助力中国工业4.0--- SiC功率半导体产品发布

丁国华 苏州锴威特半导体股份有限公司董事长