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张进成
西安电子科技大学副校长、教授

张进成,博士,二级教授,博士生导师,教育部长江学者特聘教授,领军人才,卓越青年基金获得者,国务院政府特殊津贴专家,陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任,曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席,微电子学院副院长,科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,发表SCI论文300余篇,出版专着3部,授权发明专利80余项,成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授,从事宽禁带半导体电子材料与器件研究,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。曾获国家杰出青年基金获得者(2019年)、国家万人计划领军人才(2019年)、科技部中青年科技创新领军人才(2018年)、教育部长江学者特聘教授(2016年)、国务院政府特殊津贴专家(2016年)、陕西省重点科技创新团队负责人(2017年)、陕西省三秦学者特聘教授(2016年)、陕西省三五人才(2010年)、陕西省青年科技新星(2010年)等。