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伊晓燕
中国科学院半导体研究所研究员\中科院半导体照明研发中心副主任、总工程师

 伊晓燕,中国科学院半导体所研究员,中科院半导体照明研发中心副主任、总工程师。主要研究方向为三族氮化物材料、器件及工艺技术。重点研究领域包括:新型结构LED器件物理及结构设计,氮化物LED量子效率提升技术,氧化锌、石墨烯等新型透明电极材料研究,基于第三代半导体材料的新型器件等。在该领域发表学术论文68篇,申请专利43项,授权专利10项,荣获2019年国家科技进步奖一等奖,国家技术发明二等奖1项,北京市科学技术发明奖一等奖1项,中国专利发明奖1项。参与发表著作3部,主持国家级科研项目7项。