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陈堂胜
中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

196410月生湖北,1986年、1989年毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,分别获学士和硕士学位,1989年到南京电子器件研究所参加工作至今,长期从事GaAsGaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制,现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家,目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。