1964年10月生湖北，1986年、1989年毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业，分别获学士和硕士学位，1989年到南京电子器件研究所参加工作至今，长期从事GaAs、GaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制，现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家，目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。