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柏松
中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员

柏松,1997年本科毕业于北京大学物理系。2003年获美国匹兹堡大学物理专业博士学位,读博期间主要从事宽禁带半导体材料及器件研究。2004年至今在中国电子科技集团公司第五十五研究所工作,现任宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任。参加工作以来一直致力于SiC器件的研发,在国内首先实现了击穿电压超过10kVSiC肖特基二极管和SiC PiN二极管,在高压SiC JFETSiC MOSFET技术开发方面也取得了重要成果。负责承担和完成多项国家科技重大专项、高技术研究发展计划等重大科研项目,申请发明专利17项,其中授权8项,曾获国防科技进步一等奖一项。