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吴洁君
北京大学物理学院高级工程师
吴洁君博士,2003年4月进入中科院半导体所学习并获博士学位,2006年4月在北京大学物理学院宽禁带中心从事博士后研究,2007年12月获得日本学术振兴协会(JSPS)资助任日本三重大学任外国人特别研究员,2009年12月回国加入北京大学物理学院。2003年4月起,吴洁君就开始从事氮化物半导体材料、器件的研究、MOCVD及HVPE生长技术研究及国产设备开发,主持并参与了国家863 课题、国家973项目和国家自然科学基金等多项国家重大课题研究,在2-4英寸GaN单晶衬底研制及量产化技术;HVPE生长GaN厚膜和AlN厚膜的工艺特性与生长机制;非极性面氮化物HVPE生长;硅基MOCVD生长无裂纹GaN基器件等方面均开展了深入的研究,发表相关的SCI论文数十篇,获得授权和申请的国家发明专利数十项。此前,她还曾获国防科工委的国防科学技术二等奖(2001GF2069-5,排名5),航空工业总公司的航空科学技术奖一等奖(20011137,排名5)和三等奖(20001061,排名1)。