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于彤军
北京大学物理学院教授
于彤军,1999年在日本国立东北大学获得博士学位,1999年至2001年在日本邮政省通讯放送机构仙台研究中心任特聘研究员,现为北京大学物理学院教授,博士生导师。长期从事 GaN 基宽禁带半导体发光材料、物理和器件研究,在氮化物纳米异质外延生长机理研究、缺陷和应力控制、AlGaN 深紫外发光偏振光学特性的机理和光场调控方面取得一系列成果。2016年起开展AlN单晶PVT设备建设和晶体生长研究,实现了PVT2英寸AlN晶体生长。共发表 SCI 收录论文 120 余篇,获得/申请国家发明专利 30 余件,曾获教育部科技进步二等奖和北京市科学技术三等奖。