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陈志涛
广东省科学院半导体研究所所长、教授

2001年获西安交通大学学士学位, 2006年获北京大学博士学位;其后在北京大学从事博士后工作,并于2008年赴日本名古屋工业大学从事财团特任研究员工作,2012年回国任广东半导体照明产业技术研究院副院长,20163月任广东省半导体产业技术研究院副院长(主持工作),20186月任广东省半导体产业技术研究院院长。201212月获教授级高级工程师职称。

长期从事宽禁带半导体材料与器件技术开发,在材料生长、器件工艺、测试分析、器件应用等方面取得有一定意义的创新成果,部分成果获得实际应用。申请发明专利50余件,发表论文60余篇。

兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会秘书长,广东省半导体光源产业协会副会长。

部分论文列表:

1, High-Quality AlN Film Grown on Sputtered AlN/Sapphire via Growth-Mode Modification, Crystal Growth & Design, 18, 6816(2018) (通讯作者)

2Performance enhancement of AlGaN-based 365 nm ultraviolet light-emitting diodes with a band-engineering last quantum barrier, Optics Letter53, 515(2018) (通讯作者)

3, Visible light communication using dual camera on one smartphone, Optics Express, 26,346927(2018) (通讯作者)

4, High-Quality GaN Epilayers Achieved by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth on Sputtered AlN/PSS Templates, ACSApplied Materials & Interfaces, 9, 43386(2017) (通讯作者)

5, Schottky Barrier Height Inhomogeneity-Induced Deviation From Near-Ideal Pd/InAlN Schottky Contact, IEEE Electron Device Letters, 32, 620(2011)  (第一作者)

6Pd/InAlN Schottky diode with low reverse current by sulfide treatmentApplied Physics Letters, 99,183504(2011)  (第一作者)

7, Mechanism of ultrahigh Mn concentration in epitaxially grown wurtzite Ga1xMnxN, Applied Physics Letters, 97, 222108(2010)  (第一作者)

8, Photoluminescence studies of high-quality InAlN layer lattice-matched to GaN grown by metal organic chemical vapor deposition, Applied Physics Letters, 96, 191911(2010)  (第一作者)

9, Effect of strain on quantum efficiency of InAlN-based solar-blind photodiodes, Applied Physics Letters, 95, 083504(2010)  (第一作者)

10, Improved performance of InAlN-based Schottky solar-blind photodiodes, Applied Physics Letters, 94, 213504(2010)  (第一作者)