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Anant AGARWAL
美国俄亥俄州立大学教授
IEEE会士

Agarwal博士于2017年8月加入位于俄亥俄州哥伦布市的俄亥俄州立大学。 在此之前,他在2013年3月至2016年11月期间在美国能源部(DOE)工作。 在DOE期间,Agarwal博士帮助创建和管理四个与宽带隙技术及其应用相关的项目,包括PowerAmerica、下一代电机(I和II)和研究生培训项目。1999年至2013年,阿加瓦尔博士在Cree公司担任宽带隙(WBG)器件的研发总监。 在这个职位上,他负责监督碳化硅二极管和MOSFET功率器件的开发和商业化。如今,这些WBG半导体在全球范围内被用于提高电源、太阳能逆变器和电机驱动等系统的效率和降低功耗。

在此之前,Agarwal博士是匹兹堡诺斯罗普-格鲁曼科技中心的研究员(1990-1999)。在Northrop Grumman期间,他领导了射频硅和硅锗晶体管的研究活动。 他还在解决与WBG技术有关的大量基本问题方面发挥了作用。

在加入诺斯罗普-格鲁曼公司之前,Agarwal博士担任过各种教学和研究职位(1984-1990),包括印度阿拉哈巴德的副教授和新泽西州默里山AT&T贝尔实验室的技术员。在贝尔实验室工作期间,他参与了用于光纤通信的砷化镓数字电路的开发。

阿加瓦尔博士于1984年在宾夕法尼亚州利哈伊大学获得电气工程博士学位;1980年在田纳西大学太空研究所获得电气工程硕士学位;1978年在印度阿拉哈巴德大学MNR工程学院获得电气工程理学士学位。 他共同拥有60多项专利,共同发表了300多篇研究论文,共同编辑了一本关于碳化硅技术的书,共同撰写了五本书的章节,并因其在宽带隙技术方面的毕生贡献,于2012年1月当选为IEEE院士。