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Sangmin LEE
Wavice Inc 首席技术官兼设备部门负责人

教育背景

1990年--韩国Sogang大学,理科学士

1992年--韩国Sogang大学,理科硕士

1996年--韩国Sogang大学固态物理学博士。

工作经历

-1996 ~ 1998 - 博士后,欧洲技术研究院

-2000 ~ 2001 - 博士后,加州大学圣巴巴拉分校

-2001 ~ 2005 - 高级工艺工程师,GCS

-2005 ~ 2010 - 技术资格经理,RFMD

-2010 ~ 2015 - 研究科学家,Cree

-2015 ~ 현재 - CTO, Wavice

感兴趣的领域

- 宽带隙器件包括GaN、SiC、Ga2O3

- 毫米波器件(InP DHBT、GaN HEMT等)

- 高功率器件的可靠性和失效机制