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P.S.Raghavan
GT Advanced Technologies首席技术官
P.S. Raghavan博士是 GT Advanced Technologies 的首席技术官。 Raghavan 博士在晶体生长仪器、半导体(硅、碳化硅、III-V 和 II-VI)材料的晶体生长、氧化物(Al2O3、LiNbO3)、NLO 材料、闪烁检测材料方面拥有超过 33 年的工业和学术经验以及先进的电子和光子设备。他在开发技术和资本设备方面拥有数十年的经验,已成功将行业领先的硅、蓝宝石、碳化硅和氮化镓晶体生长炉商业化,用于太阳能、LED、消费电子和电力电子制造行业。

在 2002 年加入 GT 之前,他参与晶体生长研究,并担任台湾新竹 NTHU 电机工程系客座教授、安娜大学晶体生长中心助理教授和阿拉加帕大学 Reader 和 Head Instrumentation , 印度。

Raghavan 博士拥有物理学硕士学位、物理学哲学硕士学位和物理学博士学位。在 III-V 族化合物的晶体生长中。他曾在全球国际知名实验室担任博士后研究员,在国际期刊上发表了 60 篇研究论文,拥有 8 项专利,并在国家/国际会议上发表了 100 篇论文。他与他人合着了 3 部关于晶体生长的书籍,并因其在晶体生长技术领域的贡献而获得多项国际奖项。