陈教授
1988年获得北京大学学士学位；
1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位。
他的行业实践包括在日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技从事III-V高速器件技术研发工作。
陈教授自2000年起在香港科技大学任教，现为电子和计算机工程系正教授。
他曾在国际期刊和会议论文集中发表300余篇论文，在GaN电子器件技术方面曾获得9项美国专利授权。
他所带领的团队目前的研究重点在于开发电力电子、无线电/微波及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。
他是IEEE会士，现为IEEE电子器件学会复合半导体器件与IC技术委员会成员。
2013年，陈教授曾担任《IEEE电子器件汇刊》“GaN电子器件”特刊的特邀编委。
此外，他还担任《IEEE电子器件汇刊》、《IEEE微波理论与技术汇刊》及《日本应用物理杂志》的编辑。
