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陈敬
香港科技大学教授

陈教授

1988年获得北京大学学士学位;

1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位。

他的行业实践包括在日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技从事III-V高速器件技术研发工作。

陈教授自2000年起在香港科技大学任教,现为电子和计算机工程系正教授。

他曾在国际期刊和会议论文集中发表300余篇论文,在GaN电子器件技术方面曾获得9项美国专利授权。

他所带领的团队目前的研究重点在于开发电力电子、无线电/微波及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。

他是IEEE会士,现为IEEE电子器件学会复合半导体器件与IC技术委员会成员。

2013年,陈教授曾担任《IEEE电子器件汇刊》“GaN电子器件”特刊的特邀编委。

此外,他还担任《IEEE电子器件汇刊》、《IEEE微波理论与技术汇刊》及《日本应用物理杂志》的编辑。