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盛况
浙江大学浙江大学电气工程学院院长,求是特聘教授

盛况,浙江大学求是特聘教授,博士生导师。1995年获浙江大学电力电子技术学士,1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士,1999-2002年任英国剑桥大学博士后,2008年获美国Rugters大学终身教职;2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导,2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。

长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。 

团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300ASBDJBSMPSJFETMOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文200余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。

2009年,获国家教育部长江学者;2012年,获国家杰出青年科学基金资助;2013年,获中组部万人计划科技创新领军人才;2014年,获中国侨界贡献奖(创新人才)

2010年,浙江省自然科学二等奖;2019年,国家技术发明二等奖(排名第二)。

主要兼职:国家863主题项目首席专家;国家863计划先进能源技术领域新型电力电子技术主题专家组专家(召集人);国家重点研发计划项目负责人;International Symposium on Power Semiconductor Devices and IcsISPSD,国际功率器件及集成电路年会)技术委员会主席,2015International Symposium on Power Semiconductor Devices and IcsISPSD,国际功率器件及集成电路年会)大会主席,2019IEEE高级会员; IEEE Transactions on Power Electronics 副主编;IEEE Transactions on Industrial Applications副主编;中国电源学会常务理事、元器件专委会副主任。