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林信南
北京大学深圳研究生院副教授
中国电工技术学会电气节能专委会副理事长兼秘书

电力电子学会常务理事

林信南:半导体器件方向,国家973 A类课题负责人、深圳市首批基础研究杰出青年、深圳市海外高层次孔雀计划B类人才。

1997年本科毕业于北京大学,并留校在微电子学研究所任助理工程师。1999年公派赴香港科技大学进修,2007年获香港科大微电子专业博士并返回北京大学深圳研究生院任讲师,2010年晋升副教授。

已发表Sci/Ei收录论文130余篇,其中二十余篇发表在以IEEE TEDEDL为代表的国际电子器件领域顶级期刊上。获国际会议邀请报告多次,并受邀撰写2本专著章节。申请发明专利数十项并已获多项授权。提出双金属栅无结器件的文章曾于2015年进入ESI全球工程领域前1%高被引文章名单。 曾荣获2009年度深圳市创新奖高校类第一名,个人排名第二,第二届广东省“金博奖”创新突出贡献奖等。在校内曾获北京大学优秀班主任二等奖,北京大学深圳研究生院优秀教师,带领班级获北京大学优秀学风班等荣誉。

在国内学术兼职方面:担任中国电工技术学会电气节能专委会副理事长兼秘书长、电力电子专委会理事;中国电源学会电子元器件专委会委员;深圳电气节能研究会副秘书长。曾荣获中国电工技术学会 “2010-2014先进学会工作者”。

在国际学术兼职方面:创建IEEE电子器件与集成电路深圳分会并曾任首任主席,是IEEE TED, EDLMaterials today等多个行业内著名期刊的审稿人。长期担任IEEE EDSSC(电子器件与集成电路会议)技术委员会委员,并担任IEEE EDSSC 2017技术委员会联合主席。

在半导体器件方向内,近几年所带课题组的具体研究内容为:

1.  用于EDA的新型仿真方法、工具及器件SPICE模型
a) 
纳米集成电路前沿器件结构与模型:FinFETTFET(隧穿场效应管)、无结器件;
b) 
新型存储器件结构与模型:PCRAM(相变存储器)RRAM(阻变存储);
c) 
新型可靠性与存储特性仿真方法、工具及模型方法。

2.  电力电子器件
a) 
宽禁带材料GaN(氮化镓)SiC(碳化硅)器件物理、结构与工艺;
b) 
硅基IGBT器件结构与工艺。

作为第一负责人承担的代表性项目:
1.
国家重大科学研究计划(973A)课题:移动介质与高速缓存中的PCRAM消费性电子产品开发;
2.
国家自然科学基金面上项目:相变存储器件OTSOMS物理机理和模型研究;
3.
国家自然科学基金青年基金:纳米FinFET器件的退化模型和失效机理研究;
4.
广东省自然科学基金面上项目:沟道垂直不均匀性、线粗糙和随机掺杂对无结FinFET器件性能影响与模型研究;
5.
深圳基础研究杰出青年基金:新能源产业共性核心技术——高速大功率IGBT新型原胞结构与制造工艺研发。