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刘玉怀
郑州大学教授
日本名古屋大学客座教授

刘玉怀,男,郑州大学教授、博士生导师,科技部电子材料与系统国家国际联合研究中心主任,日本名古屋大学客座教授。1969年11月出生于安徽省淮南市,1999年7月毕业于中国科学院安徽光学精密机械研究所,获博士学位,1999年7月至2000年2月于中国科学院半导体研究所从事蓝光器件研究,2000年3月至2003年3月于日本德岛大学任研究员,从事紫外LED材料的生长研究,2003年4月至2007年6月于日本三重大学任研究员,从事深紫外材料的研究,2007年7月至2011年6月于日本东北大学任助理教授,从事氮化铟材料的生长研究,2011年7月加入郑州大学信息工程学院电子与信息工程系,2015年12月至2016年11月于日本名古屋大学访问研究。2000年以来一直从事氮化物半导体材料的生长研究,主要包括MOCVD、HVPE及粉末合成等生长方式。主持日本科学技术振兴机构地区创新项目、日本稻盛财团研究项目、日本学术振兴会科研费项目、中国科技部重点研发计划项目、中国自然科学基金等项目11项。发表论文和会议报告180篇。担任2011年功能材料国际会议执委员,2011年氮化物半导体单晶生长国际会议执行委员,2017年深紫外材料与器件国际研讨会副执行主席,2018年深紫外材料与器件国际研讨会联合执行主席。


题目:A Review on Hexagonal Boron Nitride Film Growth on Different Substrates

摘要:

六方相氮化硼薄膜(hBN)可望应用于深紫外发光器件[1]、中子探测器件[2,3]以及电子器件的衬底层[4]、介质层[5]或绝缘层[6],近年来hBN研究成果吸引了大量关注。本报告将展示hBN在不同衬底上的生长比较,包括蓝宝石衬底、氮化铝/蓝宝石模板、氮化铝衬底以及金刚石衬底等等。

参考文献:

[1] Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kanda, H. Direct-Bandgap Properties and Evidence for Ultraviolet Lasing of Hexagonal Boron Nitride Single Crystal. Nat. Mater. 2004, 3, 404.

[2] Maity, A.; Doan, T. C.; Li, J.; Lin, J. Y.; Jiang, H. X. Realization of Highly Efficient Hexagonal Boron Nitride Neutron Detectors. Appl. Phys. Lett. 2016, 109, No. 072101.

[3] Maity, A.; Grenadier, S. J.; Li, J.; Lin, J. Y.; Jiang, H. X. Toward Achieving Flexible and High Sensitivity Hexagonal Boron Nitride Neutron Detectors. Appl. Phys. Lett. 2017, 111, No. 033507.

[4] Geim, A. K.; Grigorieva, I. V. Van der Waals Heterostructures. Nature 2013, 499, 419.

[5] Meric, I.; Dean, C.; Young, A.; Hone, J.; Kim, P.; Shepard, K. L. Graphene Field-Effect Transistors Based on Boron Nitride Gate Dielectrics. Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meeting 2010, 556?559.

[6] Ponomarenko, L. A.; Geim, A. K.; Zhukov, A. A.; Jalil, R.; Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Grigorieva, I. V.; Hill, E. H.; Cheianov, V. V.; Fal’ko, V. I.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Gorbachev, R. V. Tunable Metal?Insulator Transition in Double-Layer Graphene Heterostructures. Nat. Phys. 2011, 7, 958.