论坛报名
展览报名
在线咨询
服务热线
Tel:010-82387600
TOP
张国义
北京大学物理学院教授,北京大学宽禁带半导体研究中心主任

张国义,理学博士,北京大学物理学院教授,博士生导师,北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任,中国物理学会发光分会理事;中国电子学会办半导体与集成技术分会委员会委员;《半导体学报》,《发光学报》,《液晶和显示》编委.长期从事半导体物理与器件物理,半导体光电子学,MOCVD生长技术的研究。自1993年至今,一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。申请国家发明专利20多项,发表论文100多篇。作为会议主席,在1998年和2001年两次在中国主持召开了国际III-V氮化物半导体专题研讨会,多次作为(氮化物半导体相关的)重大国际会议委员会委员,参加国际学术交流。作为第一发明人,曾获得国家发明四等奖,国家教委科技进步二等奖等奖励。