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陆海
南京大学教授

南京大学教授,博士生导师,国家杰出青年科学基金获得者,长江学者特聘教授,万人计划专家,国家重点研发计划项目首席科学家。

1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位;于2003年在美国康奈尔大学(Cornell University)电子与计算机工程系获博士学位,师从美国工程院院士Lester Eastman教授;在康奈尔大学获得博士学位后,于2004年,受聘于美国通用电气公司(GE)研发中心任高级研究员;于20069月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院,现任南京大学特聘教授,兼任南京微结构国家实验室(筹)主任研究员(PI)。    

主要从事宽禁带半导体材料和器件研究,取得了多项有国际影响力的成果:制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜(保持6年世界纪录),首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料,为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品;联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数,包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现,藉此将族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段,大大拓宽了族氮化物半导体的研究与应用范畴;首先发现InN表面强电荷聚集效应,藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源,获《Nature》杂志专文报道;联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。   

近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究,致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域:通过发展GaN同质外延生长技术,大幅度提高了GaN半导体的晶体质量,藉此研制出高击穿电压GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光电探测器,多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道;两次刷新GaN基霍尔传感器最高稳定工作温度的世界纪录;研制出现有暗电流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探测器,并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度GaN基紫外探测器的产业化;在国内首先实现SiC紫外单光子探测器;研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题,发展了多种新型的器件测试表征方法。   

迄今已发表学术论文三百余篇,其中包括SCI论文230余篇;所发表文章获SCI他人引用10000余篇次(截止到201512月);其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”;已获得13项中国发明专利和1项美国发明专利授权;入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划;曾获江苏省五四青年奖章(2013)、江苏省十大青年科技之星(2014)、教育部技术发明一等奖(2015)、国家技术发明二等奖(2016)。